歡迎進(jìn)入杭州聚同電子有限公司網(wǎng)站！
18757562850
歡迎進(jìn)入杭州聚同電子有限公司網(wǎng)站！
18757562850
Product Center
當(dāng)前位置：首頁(yè) - 產(chǎn)品中心 - 樣品處理設(shè)備 - 光化學(xué)反應(yīng)釜 - 福建大容量光催化反應(yīng)器JT-GHX-B現(xiàn)貨供應(yīng)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
福建大容量光催化反應(yīng)器JT-GHX-B現(xiàn)貨供應(yīng)產(chǎn)品說明:JTONE系列光化學(xué)反應(yīng)儀, 又稱為光化學(xué)反應(yīng)釜，多功能光化學(xué)反應(yīng)器.主要用于研究氣相或液相介質(zhì)、固定或流動(dòng)體系、紫外光或模擬可見光照、以及反應(yīng)容器是否負(fù)載TiO2光催化劑等條件下的光化學(xué)反應(yīng)。光化學(xué)反應(yīng)儀在操作、維護(hù)和儀器的所有階段，都必須遵守以下的基本安全措施。
產(chǎn)品分類
福建大容量光催化反應(yīng)器JT-GHX-B現(xiàn)貨供應(yīng)光化學(xué)反應(yīng)儀操作遇到的問題!
光化學(xué)反應(yīng)儀器又稱(光化學(xué)反應(yīng)釜，光化學(xué)反應(yīng)器，光催化反應(yīng)器，光催化反應(yīng)儀光催化反應(yīng)裝置)都是光化學(xué)儀器系列，
光化學(xué)反應(yīng)儀在操作、維護(hù)和儀器的所有階段，都必須遵守以下的基本安全措施。在儀器使用時(shí)應(yīng)按照說明書來操作,違規(guī)使用會(huì)造成儀器的正常工作，至使儀器損壞。
*、避免觸電事故，儀器的輸入電源線必須接地，儀器使用的是三芯接地插頭，這種插頭有接地腳，如果插頭無法插入座內(nèi)，應(yīng)請(qǐng)電工安裝正確的插座，使儀器不要失去接地保護(hù)作用。
第二、使用電源：在連接交流電源之前，要確保電壓與儀器所要求的電壓*(允許±10%的偏差)，并確保電源插座的額定負(fù)載不小于儀器要求。
第三、注意使用電源線：光化學(xué)反應(yīng)儀通常使用隨機(jī)附帶的電源線。如果電源線破損，必須更換不許修理。更換時(shí)必須用相同類型和規(guī)格的電源線代替。儀器使用時(shí)電源線上不許放置任何物品。不要將電源線置于人員走動(dòng)的地方。
第四、注意儀器的安放：光化學(xué)反應(yīng)儀應(yīng)放在陰涼、通風(fēng)、干燥、防塵的位置，為了更好的散熱效果，儀器通風(fēng)處，于其它物品應(yīng)保持有效距離
參考資料：杭州聚同電子有限公司
福建大容量光催化反應(yīng)器JT-GHX-B現(xiàn)貨供應(yīng)主要特征:
1.光化學(xué)反應(yīng)儀智能微電腦控制，可觀察電流和電壓實(shí)時(shí)變化
2.進(jìn)口光源控制器，內(nèi)置光源轉(zhuǎn)換器，功率連續(xù)可調(diào)，穩(wěn)定性高
3.光化學(xué)反應(yīng)儀具有分步定時(shí)功能，操作簡(jiǎn)便
4.反應(yīng)暗箱內(nèi)壁使用防輻射材料，且?guī)в杏^察窗
5.采用內(nèi)照式光源，受光充分，燈源采用耐高壓防震材質(zhì)，經(jīng)久耐用
6.配有大功率磁力攪拌裝置，使樣品充分混勻受光
7.雙層耐高低溫石英冷阱，可通入冷卻水循環(huán)維持反應(yīng)溫度
8.光化學(xué)反應(yīng)儀高溫度保護(hù)系統(tǒng)，自動(dòng)斷電功能
9.機(jī)箱外部結(jié)構(gòu)設(shè)有循環(huán)水進(jìn)出口，內(nèi)部設(shè)有2個(gè)插座，供燈源和攪拌反應(yīng)器用
技術(shù)參數(shù):
型號(hào)：JT-GHX-B大容量光化學(xué)反應(yīng)儀
（一）主體部分
1.光源功率可連續(xù)調(diào)節(jié)大小。
2.集成式光源控制器，可供汞燈、氙燈、金鹵燈等多種光源使用。
3.汞燈功率調(diào)節(jié)范圍：0~1000W可連續(xù)調(diào)節(jié)。
4.氙燈功率調(diào)節(jié)范圍：0~1000W可連續(xù)調(diào)節(jié)。
5.金鹵燈功率調(diào)節(jié)范圍：0~500W可連續(xù)調(diào)節(jié)。
光催化凈化裝置
資料來源：杭州聚同電子有限公司
光催化凈化技術(shù)主要是利用光催化劑二氧化欽(T'02)吸收外界輻射的光能，使其直接轉(zhuǎn)變?yōu)榛瘜W(xué)能。當(dāng)能量大于Ti02禁帶寬度的光照射半導(dǎo)體時(shí)，光激發(fā)電子躍遷到導(dǎo)帶，形成導(dǎo)帶電子(e-)，同時(shí)在價(jià)帶留下空穴階(h+)。由于半導(dǎo)體能帶的不連續(xù)性，電子和空穴的壽命較長(zhǎng)，它們能夠在電場(chǎng)作用下或通過擴(kuò)散的方式運(yùn)動(dòng)，與吸附在半導(dǎo)體催化劑粒子表面上的物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應(yīng)，或者被表面晶格缺陷俘獲?？昭ê碗娮釉诖呋瘎┝Ｗ觾?nèi)部或表面也能直接復(fù)合，空穴能夠同吸附在催化劑粒子表面的月口一或HZO發(fā)生作用生成經(jīng)基自由基HO "
相關(guān)文章
上一個(gè)：
返回列表
